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產品頻道 富士電機株式會社（東京都品川區(qū)、代表取締役社長：北澤通宏）推出業(yè)內最高水平的低損耗MOSFET“Super J-MOS系列”產品。
1．上市目的
如今，人們對地球環(huán)境越來越關心，在不斷清潔化的IT領域及新能源等領域中，可實現高效電力變換的功率半導體受到廣泛矚目。
其中，MOSFET注1作為電力轉換過程所使用的主要裝置，對其降低損耗的要求越來越高。
此次，富士電機推出的Super J-MOS系列產品，采用具有新開發(fā)的低通態(tài)電阻特性的SJ結構注2，可大幅度地降低損耗。
據此，可通過提高設備的電力變換效率減少耗電，為實現低碳社會作貢獻。
2．產品特點
? 降低通態(tài)電阻70％注3，達到業(yè)內最高水平的低損耗。
? 結合最新降低開關損耗的技術，使元器件總損耗降低14％注4。
3．主要規(guī)格（代表機型）
4．主要用途
?服務器、不間斷電源、播放設備等信息通信設備；
?面向太陽能電力調節(jié)器等新能源領域的電力變換裝置等。
5．詢問處
富士電機株式會社 營業(yè)本部 電力電子設備統括本部 第3統括部 營業(yè)第1部
?03-5435-7256
注1 MOSFET：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應管。
注2 SJ結構：電荷非平衡Superjunction結構
其特點是，由于是使MOSFET的耐壓層的p區(qū)和n區(qū)交互存在的結構，可使n區(qū)的雜質濃度提高，所以可大幅度降低阻值。
以往面狀結構的MOSFET，由于是通過向高阻抗的n層延展電絕緣區(qū)（過流層）來確保耐壓水平的，因此通態(tài)電阻無法降至一定值以下。
而SJ結構，是通過在n區(qū)形成p區(qū)，這既可以在縱向又可在橫向延展過流層，因此，即使n層阻抗下降，依然可以確保耐壓水平。據此，可實現超過以往面狀結構理論極限的低通態(tài)電阻。
注3、4 與本公司以往產品相比
北京市公安局海淀分局備案號：11010802023656號