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資訊頻道富士通微電子將從2010年4～6月開始樣品供貨基于Si底板的GaN類功率元件。考慮2011年中期開始量產(chǎn)，2012年上半年轉(zhuǎn)為全面量產(chǎn)。投資金額為數(shù)十億日元。
產(chǎn)品以富士通研究所于2009年6月宣布開發(fā)成功(參閱本站報道)的使用GaN類半導(dǎo)體的HEMT為基礎(chǔ)。為了在電源電路上使用，當(dāng)時采用了不施加?xùn)艠O電壓漏電流就不會流出的常閉(NormallyOff)型。雖然采用了SiC底板，但同時也在推進基于Si底板的研發(fā)。富士通微電子沒有透露2010年4～6月開始接受樣品供貨的廠商名稱，但其公關(guān)部透露主要“面向服務(wù)器”用途。因此，最初極有可能用于富士通的服務(wù)器。
用于GaN類HEMT的Si底板口徑為6英寸(150mm)。該公司表示，將同時利用位于福島縣會津若松市支持150mm底板的Si元件用生產(chǎn)線進行生產(chǎn)。計劃為生產(chǎn)GaN類功率元件而新設(shè)置GaN類半導(dǎo)體結(jié)晶生長裝置。
目前，利用廉價Si底板制造GaN類功率元件的研發(fā)活動十分活躍。比如，古河電氣工業(yè)與富士電機先進科技的研究小組、美國國際整流器公司(InternationalRectifier)、NEC與NEC電子的研究小組、松下及三墾電氣等已開始著手研發(fā)。
北京市公安局海淀分局備案號：11010802023656號