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產品頻道

富士電機推出業界最高水平低損耗“Super J-MOS系列”MOSFET
  • 企業:富士電機(中國)有限公司     領域:變頻器與軟啟動器     行業:冶金    
  • 點擊數:2458     發布時間:2011-12-27 11:56:00
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   富士電機株式會社(東京都品川區、代表取締役社長:北澤通宏)推出業內最高水平的低損耗MOSFET“Super J-MOS系列”產品。

   1.上市目的

  如今,人們對地球環境越來越關心,在不斷清潔化的IT領域及新能源等領域中,可實現高效電力變換的功率半導體受到廣泛矚目。

  其中,MOSFET注1作為電力轉換過程所使用的主要裝置,對其降低損耗的要求越來越高。

  此次,富士電機推出的Super J-MOS系列產品,采用具有新開發的低通態電阻特性的SJ結構注2,可大幅度地降低損耗。

  據此,可通過提高設備的電力變換效率減少耗電,為實現低碳社會作貢獻。

  2.產品特點

? 降低通態電阻70%注3,達到業內最高水平的低損耗。
? 結合最新降低開關損耗的技術,使元器件總損耗降低14%注4。

   3.主要規格(代表機型)
    
       
  4.主要用途

?服務器、不間斷電源、播放設備等信息通信設備;
?面向太陽能電力調節器等新能源領域的電力變換裝置等。

   5.詢問處

富士電機株式會社 營業本部 電力電子設備統括本部 第3統括部 營業第1部  
?03-5435-7256

  注1 MOSFET:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應管。

  注2 SJ結構:電荷非平衡Superjunction結構

   其特點是,由于是使MOSFET的耐壓層的p區和n區交互存在的結構,可使n區的雜質濃度提高,所以可大幅度降低阻值。

  以往面狀結構的MOSFET,由于是通過向高阻抗的n層延展電絕緣區(過流層)來確保耐壓水平的,因此通態電阻無法降至一定值以下。

  而SJ結構,是通過在n區形成p區,這既可以在縱向又可在橫向延展過流層,因此,即使n層阻抗下降,依然可以確保耐壓水平。據此,可實現超過以往面狀結構理論極限的低通態電阻。

  注3、4 與本公司以往產品相比

             

 

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