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“磁電子剛起步不久,應該盡快趕上”

    “微電子時代,我們被甩在后面了,磁電子剛起步不久,應該盡快趕上。”南京大學教授都有為院士建議,我國應加速磁電子領域產業化步伐。美國明尼蘇達大學王建平教授表達了同樣的意思,“現在進入了磁電子時代,在起點差不多的情況下,抓得早些,就能抓住機會”。

    10月22日,被業界稱為未來電子技術——磁電子技術與器件產業化盛會的首屆國際磁電子器件及產業化研討會在京召開。與會的國內外院士和專家認為:微電子工業的發展引發了世界第三次產業革命的浪潮,而磁電子器件的研發和產業化很有可能成為世界第四次產業革命的導火索。這一觀點與最近美國國家自然科學基金會提出的“自旋電子科學的發展及應用將預示著第四次工業革命的到來”不謀而合。

    磁電子學是一門以研究納米尺度范圍內電子的自旋特性為主要內容的交叉學科。它是磁學與微電子學相結合的產物。微電子材料與器件是二十世紀人類最偉大的創造之一,但是沒有利用電子自旋特性。磁電子技術采用磁電子材料制造全新的或者高性能的器件,與傳統半導體器件相比,具有大幅度降低能量消耗、增加集成密度和提高數據處理速度等優點。磁電子器件廣泛應用于磁場感應、高速信號耦合和數據存貯等領域。

    在研討會上,專家介紹,巨磁電阻效應的研究是磁電子學的一個重要內容。巨磁電阻效應就是指在一定的磁場下電阻急劇變化的現象。2007年諾貝爾物理學獎授予巨磁電阻效應薄膜材料發現者,以表彰他們對新材料與信息技術的發展所作出的杰出貢獻。

    1998年美國制造出用于計算機硬盤的巨磁電阻傳感器,取代傳統磁頭,使計算機硬盤記錄密度提高了近千倍。2001年又研制出巨磁電阻磁性隨機存儲器,不僅提高了單位密度、讀寫速度,并且數據永久不丟失;而2004年研制出巨磁電阻高速耦合器,成功應用航空航天等領域,解決了光電耦合器速度低、不抗輻射等固有缺點。

    目前,西方發達國家以巨磁電阻效應薄膜材料制成的各類先進磁傳感器件迅速走向商品化,在民用和軍事領域得到廣泛應用。美國國家納米技術計劃于2010年7月發布了《2020及未來納米電子器件發展》計劃,以制造革新性材料、器件、系統和結構。該計劃確定了五大重點研究領域,第一個重點領域是“探索用于感應的新技術,包括電子自旋器件、磁器件和量子細胞自動機等”。

    專家介紹,10多年來,我國高校與研究所從實驗與理論兩方面開展了磁旋電子學的研究工作,在SCI刊物上發表了千余篇論文,申報了近百項中國發明專利以及部分國外專利,在基礎研究方面取得了一些國際上認可、有影響力的成果,但與發達國家還存在相當大的差距。在產業化方面,我們更是落后于國外。

    在研討會上,記者了解到,目前,我國已有了第一條磁電子器件生產線,已經研制出高性能的巨磁電阻傳感器芯片,這條由東方微磁科技公司打造的生產線,使我國磁電子器件的研究從實驗室研究階段向產業化邁進,有望緩解我國磁電子器件完全依賴進口的局面。

    首屆國際磁電子器件及產業化研討會由中國船舶重工集團公司主辦,科技部等有關部門領導出席。來自中國、美國、英國、日本、韓國等世界一流的磁電子材料及器件專家、學者和企業界人士參加會議。

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